MOS场效应管
60N03MOS管252原装N沟道低压MOS供应厂商
商品型号
商品概述：60N03MOS管252原装N沟道低压MOS供应厂商
漏源电压:30V，漏电流：60A，电源电压：±20
，内阻值：14mΩ
，MOS管封装：TO252，TO220，
注意事项;
1.重复评分：脉冲宽度由最高结温限制
2，L =230μH，IA
产品说明
详细参数
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60N03MOS管252原装N沟道低压MOS供应厂商
漏源电压:30V，漏电流：60A，电源电压：±20
漏源电压:30V，漏电流：60A，电源电压：±20
，内阻值：14mΩ
，MOS管封装：TO252，TO220，
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
开关特性优良
无与伦比的栅极电荷：18.5 NC（典型值）。
扩展安全工作区
更低的RDS（ON）：0.014Ω（典型值）@V GS =10V
100％的雪崩测试
可靠耐用先进的加工技术（60N03，MOS管，252原装MOS）
高密度电池设计超低导通电阻
在TV转换器电源管理 DC-DC转换器
晶片直径8英寸（±0.1英寸）
晶圆厚度：7mils（±0.6密耳）
芯片尺寸：2060μm点ˉx1140μm（包括划线）
?划线宽度：60微米
?格罗斯模具：12305
金属化：前端：铝/铜背面：钛/镍/银
??金属厚度前侧：4.0um Back0side：1.4um
??粘接面积：门：300μm的430倍微米（模具边缘到栅金属为40μm）资料来源：源区的全金属化表面（模具边缘源金属为60μm）
?推荐引线键合门：5密尔铝线×1来源：12密耳铝线×2推荐封装：TO-252
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