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 220V转5V非隔离芯片TT119
商品型号
商品概述:220V转5V非隔离芯片TT119
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220V转5VTT119是非隔离降压和降压升压应用高度集成脉冲宽度调制模拟控制方式,根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。这种能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术的PWM电源芯片。芯片还结合了高压电源带功率MOS在开关电路中,可以控制电源通断。
Technologie très efficace pour puce de puissance PWM. La puce intègre également une alimentation haute tension avec MOS de puissance dans le circuit de commutation pour contrôler la mise sous et hors tension.
220V转5V非隔离芯片ATT119芯片内建保护功能:过负载保护(OVP)芯片上的热关断(OTP)逐周期电流限制(OCP)前沿消隐(LEB)集成了软启动功能在能源中达到了六级能效高的要求。振荡器频率固定为31KHz,非常适应于小家电控制模块以及给 供电和智能插座的 家用电器上芯片达到欧美环保标准。

芯片应用* 小家电控制电源板电池充电器、电源适配器,或机顶盒、DVD、CD、CVCR(摄录像机)、电视/监视器的备用电源* 非隔离电源供电* 智能家电便携式电子装置及家用电器中微控制器(MCU)的电源供电* 无需变压器非隔离电源产品

 芯片极限参数与功率:1 等级 可达工业级别-40~125℃2 输入电压220v3 输出精度5V <±1%V 4 输出电流峰值 150mA 5 满载输出纹波Vpp <50mV6 空载电流 IQ 0.5mA 7 工作温度-40~858 VDD直流供电电压8.5V9 过热保护155度10 Vbr高压MOSFET击穿500V11 过流保护延时100ns12 符合欧美国家环保标准

Paramètres de limite de puce et puissance: 1 niveau peut atteindre le niveau industriel -40 ~ 125 ℃ 2 tension d'entrée 220v3 précision de sortie 5V <± 1% V 4 courant de sortie crête 150mA 5 ondulation de sortie à pleine charge Vpp <50mV6 pas de courant de charge IQ 0,5mA 7 travail Température -40 ~ 858 VDD Tension d'alimentation CC 8,5 V9 Protection contre la surchauffe 155 degrés 10 Vbr Panne MOSFET haute tension 500 V 11 Retard de protection contre les surintensités 100 ns 12 Conforme aux normes de protection de l'environnement nationales européennes et américaines
 
220V转5V非隔离芯片TT119是公司推出AC转DC直流转交流非隔离降压电源芯片200V电压输入,5V精准输出,长时间工作电流可达200MTT119可广泛用于智能类小家电控制板MCU供电智能插座控制板MCU供电,空气净化器控制板MCU供电,4G无线传输wifi模块供电,空调控制板MCU供电,消防应急灯控制板供电,智能水表供电; 非隔离电源供电,开关非隔离电源产品供电 。
220V转5V非隔离芯片TT119采用超小SOT23-3和TO92小插件两种型式封装,外围元件简单但是稳压性非常高,缩小PCB空间,降底成本。是公司走量很好的一款芯片





220V转5V非隔离芯片TT119应用电路图


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