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简单的3V升12V5升12V升压芯片电路应用元件:
➢C2、C6、C8:滤波电容。
➢C3: 电源接HVDD经过内部稳压管到VDS产生8V，此电压会提供内部电路与EXT Pin
驱动外部Q2的闸极，需要加稳压电容。
➢C4、C5、C13​​、R1、R5:系统的补偿迥路，关傈到系统的稳定度。
➢L1:电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感
需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。
➢D1 :当Q2截止时，D1萧特基管导通提供电感放电迥路。
➢Q2 :使用内阻低的 NMOS，Drain 端高电压等于输出 19V，耐压选用 19V的1.5倍。
➢R3:Vin与EN之间接200kQ，自动启动IC。
➢R6 :调整工作频率电阻。
➢R11、R12:分压电阻设定输出电压。
➢R8:预留作乌EMI对策。
➢Rcs :电感峰值电流检测与过电流保护电阻。
 
简单的3V升12V5升12V升压芯片参数
 1. 提供高精确度参考电压源: 0.5V(+/-2％)
 2. 宽工作电压范围：2.5～24V
 3. 输出电压：3-48V
 4. 启动电压 2.8V
 5. 基准电压0.6V
 6. 反馈电压 1.2V (±2%)
 7. 输出电流1A-5A
 8. 关机耗电流小于 3μA
 9.工作频率范围：100KHz-1MHz可调
10. 有软开机，过温保护，短路保护功能
11. TSSOP-8L和DFN-12L（带限流）封装

WD1033是一款工作频率100-1000KHZ可调、外置MOSFET大电流升压芯片，升压拓扑结构的宽工作电压应用升压ic电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，输出可做升压恒压、升降压恒压（直流DCDC升压电源），升压恒流驱动（点灯，LED驱动电源）3V升12V，5V转12V升压芯片采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。